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Schlüsselwörter [ anti corrosion high purity ceramics ] Spiel 40 produits.
Tonerde-Oxid-keramische Wohnung für EV-Hochspannungskontaktgeber
Chemische Bestandteile: | Al2o3 |
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Maximum. Gebrauch Temp.: | 1650℃ |
Schüttdichte: | 3.6g/cm3-3.9g/cm3 |
Der Isolator-Tonerde-keramische Versammlungen des keramischen Komponenten-95% Relais-AL2O3
Chemische Bestandteile: | Keramische Komponenten der Tonerde AL2O3 |
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Maximum. Gebrauch Temp.: | 1650℃ |
Schüttdichte: | 3.6g/cm3-3.9g/cm3 |
Relais-Aluminiumoxid-Keramik-Wohnungs-Bronzieren keramisch Versammlung 3.6g/Cm3 asphaltieren
Chemische Bestandteile: | Al2o3 |
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Maximum. Gebrauch Temp.: | 1650℃ |
Schüttdichte: | 3.6g/cm3-3.9g/cm3 |
Gelb, benutzerdefinierte Keramikteile Abrasionsbeständige Zirkonia-Keramikkomponenten
Chemische Bestandteile: | Al2o3 |
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Maximum. Gebrauch Temp.: | 1650℃ |
Schüttdichte: | 3.6g/cm3-3.9g/cm3 |
Magnetron 95% brachte keramische materielle Komponenten für Hauptelektrogeräte voran
Produkt-Name: | Mikrowellen-Magnetron keramisch |
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Material: | 95% Aluminiumoxyd |
Dichte: | 3.7g/cm3-5.9g/cm3 |
95% Tonerde-Oxid-Keramik HVDC-Kontaktgeber-Tonerde-keramische Teile für Hybridfahrzeuge
Chemische Bestandteile: | Al2o3 |
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Maximum. Gebrauch Temp.: | 1650℃ |
Schüttdichte: | 3.6g/cm3-3.9g/cm3 |
Basierte Keramik der HVDC-Relais-Bearbeitungstonerde-keramische 95% Tonerde
Chemische Bestandteile: | Al2o3 |
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Maximum. Gebrauch Temp.: | 1650℃ |
Schüttdichte: | 3.6g/cm3-3.9g/cm3 |
Isolierung Keramik Elektronische Komponenten Fortgeschrittene Technik Keramik
Produktbezeichnung: | Isolierungskeramik Elektronikkomponenten fortschrittliche Ingenieurkeramik aus China |
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Hitze-Expansions-Rate (10-6K-1):: | 10 |
Dehnbar: | 30 Kpsi - 32 Kpsi |
Keramik-Tonerde-keramische Ringe des Aluminiumoxyd-5.9g/Cm3 für Mikrowellen-Magnetron
Produkt-Name: | Mikrowellen-Magnetron keramisch |
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Material: | 95% Aluminiumoxyd |
Dichte: | 3.7g/cm3-5.9g/cm3 |
Sicherungs-keramisches Isolierrohr
Produkt-Name: | Hvdc-Sicherung keramisch/Sicherungs-keramisches Rohr |
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Material: | Tonerde (Aluminiumoxyd, Al2O3) |
Isolationswiderstand: | 1000M Ω (1000VDC) |